Design and Analysis of High-Power Device Based on PZT/AlGaN/GaN by Ferroelectric-Gate Heterojunction

نویسندگان : Mojtaba Hosseinzadeh Sani¹ Ali Akbar Shakeri²
زبان مقاله : انگلیسی
محور مقاله : علوم مهندسی
محل انتشار : سومین کنگره بین المللی علوم، مهندسی و تکنولوژی - هامبورگ
آدرس وب سایت کنفرانس : germanconf.com
ارسال کننده : مجتبی حسین زاده ثانی
کد IOI مقاله : XCZE-EDCDA
لینک مستقیم مقاله : https://isnac.ir/XCZE-EDCDA